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SISA96DN-T1-GE3-MS
SISA96DN-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SISA96DN-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为现代电子设备的小型化和高性能需求打造。该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作，提供50A的连续漏极电流(ID)，展现出卓越的电流处理能力。其导通电阻(RD(on))低至7.5mΩ，有效降低了功率损耗，提升了电路效率，广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等高要求应用场景，是您实现高效节能设计的理想半导体元件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SISA96DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908787
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1004克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SISA96DN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 35 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源