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AON7264E-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 此款AON7264E-MS场效应管采用N型设计采用紧凑型DFN3X3-8L封装,凭借出色功率适配小型化设计需求；60V 额定电压、40A 连续电流可稳定承载中高压大电流场景，能精准匹配高性能电源转换、负载开关及电池管理系统设计，最终实现空间节省与高效能的双重优势。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON7264E-MS
- 商品编号
- C51908844
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AON7264E-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 40 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 15 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- BSC0702LS-MS
- AON6354-MS
- IRFH7932PBF-MS
- IPG20N06S4L-26-MS
- BSC123N08NS3G-MS
- STL6P3LLH6-MS
- CSD25402Q3A-MS
- BSZ130N03LS-MS
- SI7114DN-T1-E3-MS
- AOTL66912-MS
- IPT015N10NF2SATMA1-MS
- MS8003L-TOLL8
- MSCEP023N10LL
- ST2045-MS
- US2DB-MS
- 2mm*16mm*200mm-M35
- 2mm*12mm*200mm-M35
- 2mm*10mm*200mm-M35
- 2mm*8mm*200mm-M35
- 2mm*6mm*200mm-M35
- 2mm*5mm*200mm-M35