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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC0702LS-MS

采用先进SGT MOSFET技术的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述
此款BSC0702LS-MS高性能N沟道消费级MOSFET,采用DFN5X6-8L紧凑型封装,在节省空间的同时保障散热效率,专为高电压、大电流应用场景设计;60V额定电压搭配 125A 连续电流能力,可稳定承载大功率需求,尤其适配电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合。器件凭借卓越导通性能,成为现代高效电子设备的核心功率组件,为系统高效运行提供可靠支撑。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
BSC0702LS-MS
商品编号
C51908845
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1863克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)113W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)74.37nC
属性参数值
输入电容(Ciss)4.61nF
反向传输电容(Crss)66pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)2.188nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

BSC0702LS-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性,适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 125 A
  • 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 2.9 mΩ

应用领域

  • 消费电子电源
  • 电机控制
  • 同步整流
  • 隔离式直流电源
  • 同步整流应用

数据手册PDF