BSC0702LS-MS
采用先进SGT MOSFET技术的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 此款BSC0702LS-MS高性能N沟道消费级MOSFET,采用DFN5X6-8L紧凑型封装,在节省空间的同时保障散热效率,专为高电压、大电流应用场景设计;60V额定电压搭配 125A 连续电流能力,可稳定承载大功率需求,尤其适配电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合。器件凭借卓越导通性能,成为现代高效电子设备的核心功率组件,为系统高效运行提供可靠支撑。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSC0702LS-MS
- 商品编号
- C51908845
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1863克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.37nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.188nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BSC0702LS-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 125 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 2.9 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用
- AON6354-MS
- IRFH7932PBF-MS
- IPG20N06S4L-26-MS
- BSC123N08NS3G-MS
- STL6P3LLH6-MS
- CSD25402Q3A-MS
- BSZ130N03LS-MS
- SI7114DN-T1-E3-MS
- AOTL66912-MS
- IPT015N10NF2SATMA1-MS
- MS8003L-TOLL8
- MSCEP023N10LL
- ST2045-MS
- US2DB-MS
- 2mm*16mm*200mm-M35
- 2mm*12mm*200mm-M35
- 2mm*10mm*200mm-M35
- 2mm*8mm*200mm-M35
- 2mm*6mm*200mm-M35
- 2mm*5mm*200mm-M35
- 2mm*3mm*200mm-M35
