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SIS413DN-T1-GE3-MS
SIS413DN-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SIS413DN-T1-GE3-MS场效应管采用P型设计采用紧凑型DFN3X3-8L封装,精准适配节省空间与高密度电路设计需求；30V额定VDSS保障稳定操作环境，55A连续漏极电流彰显强电流处理能力，8mΩ超低RD (on) 实现高效能低功耗，广泛用于电源转换、电机驱动、电池管理系统，是现代高效能电子产品的理想选择。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SIS413DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908843
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1024克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SIS413DN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V |D = -55 A
- RDS(ON) < 11 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源