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SIS413DN-T1-GE3-MS
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款SIS413DN-T1-GE3-MS场效应管采用P型设计采用紧凑型DFN3X3-8L封装,精准适配节省空间与高密度电路设计需求；30V额定VDSS保障稳定操作环境，55A连续漏极电流彰显强电流处理能力，8mΩ超低RD (on) 实现高效能低功耗，广泛用于电源转换、电机驱动、电池管理系统，是现代高效能电子产品的理想选择。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SIS413DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908843
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 319pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 346pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SIS413DN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V |D = -55 A
- RDS(ON) < 11 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
- AON7264E-MS
- BSC0702LS-MS
- AON6354-MS
- IRFH7932PBF-MS
- IPG20N06S4L-26-MS
- BSC123N08NS3G-MS
- STL6P3LLH6-MS
- CSD25402Q3A-MS
- BSZ130N03LS-MS
- SI7114DN-T1-E3-MS
- AOTL66912-MS
- IPT015N10NF2SATMA1-MS
- MS8003L-TOLL8
- MSCEP023N10LL
- ST2045-MS
- US2DB-MS
- 2mm*16mm*200mm-M35
- 2mm*12mm*200mm-M35
- 2mm*10mm*200mm-M35
- 2mm*8mm*200mm-M35
- 2mm*6mm*200mm-M35