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DMP3017SFGQ-MS
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款DMP3017SFGQ-MS场效应管为P沟道，专为高电流应用设计：55A 最大承受电流、30V 额定电压保障稳定运行，8mΩ 典型内阻降低功耗，20V VGS 实现卓越控制性能，适配电源管理、负载开关等领域，有效提升系统效率与可靠性，满足高性能电子系统需求
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- DMP3017SFGQ-MS
- 商品编号
- C51908841
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 319pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 346pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
DMP3017SFGQ-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -55A
- RDS(ON)< 11 m Ω@ VGS=10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源