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AON7380-MS
AON7380-MS
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- 描述
- 此款AON7380-MS是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN3X3-8L先进封装，专为大电流、低损耗应用设计。器件具有30V的漏源电压(VDSS)，能在仅6mR的超低导通电阻(RD(on))下，承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，其卓越的电流处理能力和能效表现，使之成为优化系统性能、降低能耗的理想半导体元件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON7380-MS
- 商品编号
- C51908786
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
AON7380采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 35A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源