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BSZ0904NSI-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款BSZ0904NSI-MS是一款高强度N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，特别适应于高密度电子产品的布局需求。其核心技术指标包括最大漏源电压(VDSS)达到30V，峰值漏极电流(ID)高达100A，显示出超强电流处理能力；而优异的导通电阻仅为4mΩ(RD(on))，确保在大电流工作状态下的低损耗性能。此款MOS管非常适合应用于功率转换、快速充电、大电流开关控制等对效率和稳定性要求严苛的领域。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSZ0904NSI-MS
- 商品编号
- C51908785
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BSZ0904NSI-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 60 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源