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BSZ0904NSI-MS实物图
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BSZ0904NSI-MS

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描述
此款BSZ0904NSI-MS是一款高强度N沟道MOSFET,采用紧凑型DFN3X3-8L封装,特别适应于高密度电子产品的布局需求。其核心技术指标包括最大漏源电压(VDSS)达到30V,峰值漏极电流(ID)高达100A,显示出超强电流处理能力;而优异的导通电阻仅为4mΩ(RD(on)),确保在大电流工作状态下的低损耗性能。此款MOS管非常适合应用于功率转换、快速充电、大电流开关控制等对效率和稳定性要求严苛的领域。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
BSZ0904NSI-MS
商品编号
C51908785
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1039克(g)

商品参数

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参数完善中

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