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SI7619DN-T1-GE3-MS
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款SI7619DN-T1-GE3-MS是一款高效的P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，旨在优化空间受限的设计。器件具有30V的电压额定值VDSS，可承载高达25A的连续漏极电流ID，展示了卓越的电力处理性能。其特色在于拥有低至16mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提高能源效率。广泛应用在电源转换、电池管理系统、大型电机驱动等领域，SI7619DN-T1-GE3 MOS管是您追求高性能与节能设计的理想伙伴。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7619DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908783
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SI7619DN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -25A
- RDS(ON)< 20 m Ω@VGS=-10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源