SI7619DN-T1-GE3-MS

SI7619DN-T1-GE3-MS

描述

此款SI7619DN-T1-GE3-MS是一款高效的P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，旨在优化空间受限的设计。器件具有30V的电压额定值VDSS，可承载高达25A的连续漏极电流ID，展示了卓越的电力处理性能。其特色在于拥有低至16mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提高能源效率。广泛应用在电源转换、电池管理系统、大型电机驱动等领域，SI7619DN-T1-GE3 MOS管是您追求高性能与节能设计的理想伙伴。

品牌名称

MSKSEMI(美森科)

商品型号

SI7619DN-T1-GE3-MS

商品编号

C51908783

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.1008克(g)