温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7121DN-T1-GE3-MS
SI7121DN-T1-GE3-MS
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款SI7121DN-T1-GE3-MS是一款采用紧凑型DFN3X3-8L封装的高性能P沟道MOSFET，专为高功率密度应用设计。该器件提供30V的额定电压VDSS，最大连续漏极电流可达25A，体现卓越的电流处理能力。尤为突出的是其低至16mΩ的导通电阻RD(on)，大幅减少功率损耗，提升能源利用效率。广泛适用于电源转换器、电池管理系统及大电流电机驱动等场景，SI7121DN-T1-GE3 MOS管是您实现高效、可靠电路设计的理想之选。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7121DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908782
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这些逻辑电平的 P 型增强型功率场效应晶体管是采用安森美半导体的专有高单元密度的 DMOS 技术制造而成的。这种极高的密度工艺经过特别优化，旨在最大程度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件特别适用于低电压应用，例如汽车、直流/直流转换器、脉宽调制电机控制以及其他电池供电电路，这些电路需要快速开关、低在线功率损耗以及抗瞬变的能力。
商品特性
- VDS = -30 V ID = -25 A
- RDS(ON)< 20 m Ω@VGS=-10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源