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SI7121DN-T1-GE3-MS
SI7121DN-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SI7121DN-T1-GE3-MS是一款采用紧凑型DFN3X3-8L封装的高性能P沟道MOSFET，专为高功率密度应用设计。该器件提供30V的额定电压VDSS，最大连续漏极电流可达25A，体现卓越的电流处理能力。尤为突出的是其低至16mΩ的导通电阻RD(on)，大幅减少功率损耗，提升能源利用效率。广泛适用于电源转换器、电池管理系统及大电流电机驱动等场景，SI7121DN-T1-GE3 MOS管是您实现高效、可靠电路设计的理想之选。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7121DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908782
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SI7121DN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V ID = -25 A
- RDS(ON)< 20 m Ω@VGS=-10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源