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AON3414-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 此款AON3414-MS是一款采用先进DFN3X3-8L封装的N沟道MOSFET，具有卓越的空间利用率和散热性能。在30V的最大漏源电压(VDSS)下，可实现高达20A的连续漏极电流(ID)，尤其适用于需要大电流处理能力的场合。其优异的15mΩ导通电阻，确保了系统运行的高效低耗。广泛应用于电源转换、电池管理系统以及其他需要高性能MOSFET的领域。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON3414-MS
- 商品编号
- C51908781
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1007克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AON3414-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 20A
- RDS(ON) < 20 m Ω @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源