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AON3414-MS
AON3414-MS
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- 描述
- 此款AON3414-MS是一款采用先进DFN3X3-8L封装的N沟道MOSFET，具有卓越的空间利用率和散热性能。在30V的最大漏源电压(VDSS)下，可实现高达20A的连续漏极电流(ID)，尤其适用于需要大电流处理能力的场合。其优异的15mΩ导通电阻，确保了系统运行的高效低耗。广泛应用于电源转换、电池管理系统以及其他需要高性能MOSFET的领域。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON3414-MS
- 商品编号
- C51908781
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1007克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款额定电压为 2.5 伏的 N 型场效应晶体管是飞兆半导体公司先进“功率沟槽”工艺的坚固型栅极版本。它经过优化，适用于电源管理应用，具有广泛的栅极驱动电压范围（2.5 伏至 12 伏）。
商品特性
- VDS = 30V ID = 20A
- RDS(ON) < 20 m Ω @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源