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SIS414DN-T1-GE3-MS
SIS414DN-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SSIS414DN-T1-GE3-MS场效应管为N沟道，采用DFN3X3-8L 紧凑型封装，精准适配高密度电子设计需求；30V最大VDSS 下可承载 20A 连续漏极电流，满足大电流应用场景，15mΩ 低导通电阻有效提升系统效率、减少功耗，广泛用于电源管理、马达驱动、电池保护等电路设计，是高性能低电阻解决方案的理想选择。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SIS414DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908780
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1005克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 20 A
- 在栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源