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SIS414DN-T1-GE3-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款SSIS414DN-T1-GE3-MS场效应管为N沟道，采用DFN3X3-8L 紧凑型封装，精准适配高密度电子设计需求；30V最大VDSS 下可承载 20A 连续漏极电流，满足大电流应用场景，15mΩ 低导通电阻有效提升系统效率、减少功耗，广泛用于电源管理、马达驱动、电池保护等电路设计，是高性能低电阻解决方案的理想选择。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SIS414DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908780
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SIS414DN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 20 A
- RDS(ON)< 20 m Ω(VGS=10 V时)
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源