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SIS410DN-T1-GE3-MS
SIS410DN-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SIS410DN-T1-GE3场效应管为N沟道，采用DFN3X3-8L先进封装实现小体积与强性能兼顾；20V 最大 VDSS 耐压、60A 连续 ID 承载能力保障稳定运行，4mΩ 超低导通电阻显著提升电源转换效率与系统性能，广泛适配电源管理、马达驱动等高压大电流场景，是高效能电路设计的理想选择
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SIS410DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908778
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1069克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 407pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
SI7106DN-T1-E3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V ID = 60 A
- RDS(ON)< 5 m Ω@ VGS=4.5 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源