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SIS410DN-T1-GE3-MS
SIS410DN-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SIS410DN-T1-GE3场效应管为N沟道，采用DFN3X3-8L先进封装实现小体积与强性能兼顾；20V 最大 VDSS 耐压、60A 连续 ID 承载能力保障稳定运行，4mΩ 超低导通电阻显著提升电源转换效率与系统性能，广泛适配电源管理、马达驱动等高压大电流场景，是高效能电路设计的理想选择
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SIS410DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908778
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1069克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SI7106DN-T1-E3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V ID = 60 A
- RDS(ON)< 5 m Ω@ VGS=4.5 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源