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SI7106DN-T1-E3-MS
SI7106DN-T1-E3-MS
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- 描述
- 此款SIS410DN-T1-GE3-MS场效应管为N沟道，它采用DFN3X3-8L 小型化封装，提升空间利用率且强化电力处理能力；20V VDSS 耐压、60A 持续 ID 保障强性能，4mΩ 超低导通电阻有效降损耗、提效能，适配电源转换、大电流开关控制等严苛场景，带来高水准能效体验。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7106DN-T1-E3-MS
- 商品编号
- C51908777
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 407pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
SI7106DN-T1-E3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V,漏极电流ID = 60 A
- 在栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源