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DMP2010UFV-7-MS

采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用

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描述: 此款DMP2010UFV-7-MS场效应管，它具备20V的漏源电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至7mΩ，可有效降低导通损耗并提升效率。适用于高密度电源转换系统、同步整流电路及负载开关等场景，在高频开关应用中表现出优异的热稳定性和响应速度。该器件采用标准封装形式，便于集成于各类紧凑型电子设备中，满足多样化电路设计需求。
品牌名称: MSKSEMI(美森科)
商品型号: DMP2010UFV-7-MS
商品编号: C51908754
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1006克(g)

商品参数

DMP2010UFV-13-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

-电池保护-负载开关-不间断电源