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SI7414DN-T1-E3-MS
SI7414DN-T1-E3-MS
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- 描述
- 此款SI7414DN-T1-E3-MOS场效应管以先进N沟道技术为核心，配合 DFN3X3-8L小型化封装，完美适配高密度PCB布局设计。在性能上，60V额定电压（VDSS）、30A 连续电流（ID）保障高压大电流环境下的稳定运行，24mΩ 低导通电阻（RD (on)）则高效提升功率效率、降低损耗。凭借全面的性能优势，该器件已成为电源管理、负载开关、马达控制等领域的优选，为高端电子设备提供可靠组件支持。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7414DN-T1-E3-MS
- 商品编号
- C51908763
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 64pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SI7414DN-T1-E3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能够在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V \midD = 20 A
- RDS(ON)< 30 m Ω@ VGS=10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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