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SI7309DN-T1-E3-MS
SI7309DN-T1-E3-MS
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- 描述
- 此款SI7309DN-T1-E3-MS场效应管为P沟道，采用DFN3X3-8L封装实现紧凑结构与强劲性能；60V VDSS、15A 连续电流适配高电压中等电流场景，70mΩ 低 RD (on) 减少能量损耗、提升效率，凭借优异电气性能与可靠品质，成为电源转换、马达驱动等严苛应用的理想半导体方案。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7309DN-T1-E3-MS
- 商品编号
- C51908773
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1006克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SI7309DN-T1-E3-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60 V,ID = -20 A
- 在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 60 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源