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DMG7408SFG-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款DMG7408SFG-MS场效应管为N沟道：20A电流适配功率需求稳定运行，30V电压兼容多类常见电路，15mΩ 典型内阻有效控制能量损耗，VGS 20V，可满足消费电子领域特定设备的电流电压需求可兼容DMG7408SFG-7
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- DMG7408SFG-MS
- 商品编号
- C51908774
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1004克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
DMG7408SFG-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V ID = 20 A
- RDS(ON)< 20 m Ω@VGS=-10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源