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SI7415DN-T1-GE3-MS
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款SI7415DN-T1-GE3-MS场效应管，依托DFN3X3-8L先进封装实现紧凑结构与优良性能的平衡。在性能上，60V额定漏源电压（VDSS）适配高压环境，20A连续电流（ID）保障稳定承载，55mΩ 低导通电阻（RD (on)）有效降低功率损耗、提升能效。该器件可广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统，为追求高效节能的电路设计提供可靠元件支持。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7415DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908764
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@-10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SI7415DN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V,ID = -20A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 65 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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