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SIS402DN-T1-GE3-MS
SIS402DN-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SIS402DN-T1-GE3-MS为高性能N沟道MOSFET，搭配300V最大漏源电压（VDSS）、80A 连续电流（ID）的高功率处理能力，可充分满足高负载应用需求。其 4.7mΩ 超低导通电阻（RD (on)）能有效降低传导损耗、提升系统效能，广泛适用于开关电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等对效率与散热要求严苛的场景，为高效能电路设计提供可靠支持。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SIS402DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908765
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- VDS = 30 V ID = 60 A
- RDS(ON)< 5.5 m Ω@ VGS=10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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