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SIS402DN-T1-GE3-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款SIS402DN-T1-GE3-MS为高性能N沟道MOSFET，搭配300V最大漏源电压（VDSS）、80A 连续电流（ID）的高功率处理能力，可充分满足高负载应用需求。其 4.7mΩ 超低导通电阻（RD (on)）能有效降低传导损耗、提升系统效能，广泛适用于开关电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等对效率与散热要求严苛的场景，为高效能电路设计提供可靠支持。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SIS402DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908765
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SIS402DN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V ID = 60 A
- RDS(ON)< 5.5 m Ω@ VGS=10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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