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SI7615CDN-T1-GE3-MS

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描述: 此款SI7615CDN-T1-GE3-MS场效应管为P沟道，采用DFN3X3-8L 紧凑型封装，既能优化电路布局，又能强化散热性能；20V VDSS、48A 连续 ID 保障大电流环境下稳定运行，7.5mΩ 低 RD (on) 有效减少能量损耗、提升系统效率。器件适配电源转换、电源开关、电池管理等高能效需求场景，是现代高效电子设备的优选MOSFET元件。
品牌名称: MSKSEMI(美森科)
商品型号: SI7615CDN-T1-GE3-MS
商品编号: C51908767
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1006克(g)

商品参数

参数完善中