SI7121ADN-T1-GE3-MS

SI7121ADN-T1-GE3-MS

描述

此款SI7121ADN-T1-GE3-MS场效应管为P沟道，采用 DFN3X3-8L 封装设计，同步提升集成密度与散热性能；30V VDSS 搭配 40A 最大连续 ID 强化功率承载能力，13mΩ 超低 RD (on) 显著提升系统能效，广泛适配高级电源管理、电机驱动控制场景，是优化电路设计、追求卓越性能的理想半导体组件。

品牌名称

MSKSEMI(美森科)

商品型号

SI7121ADN-T1-GE3-MS

商品编号

C51908769

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.1016克(g)