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SI7121ADN-T1-GE3-MS
SI7121ADN-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SI7121ADN-T1-GE3-MS场效应管为P沟道，采用 DFN3X3-8L 封装设计，同步提升集成密度与散热性能；30V VDSS 搭配 40A 最大连续 ID 强化功率承载能力，13mΩ 超低 RD (on) 显著提升系统能效，广泛适配高级电源管理、电机驱动控制场景，是优化电路设计、追求卓越性能的理想半导体组件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7121ADN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908769
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1016克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SI7121ADN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V,漏极电流ID = -35 A
- 当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 26 mΩ
应用领域
-全桥转换器的高端开关-液晶显示器的DC/DC转换器
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