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SI7121ADN-T1-GE3-MS
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于大电流负载应用
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- 描述
- 此款SI7121ADN-T1-GE3-MS场效应管为P沟道，采用 DFN3X3-8L 封装设计，同步提升集成密度与散热性能；30V VDSS 搭配 40A 最大连续 ID 强化功率承载能力，13mΩ 超低 RD (on) 显著提升系统能效，广泛适配高级电源管理、电机驱动控制场景，是优化电路设计、追求卓越性能的理想半导体组件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7121ADN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908769
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SI7121ADN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V,漏极电流ID = -35 A
- 当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 26 mΩ
应用领域
-全桥转换器的高端开关-液晶显示器的DC/DC转换器