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SI7123DN-T1-GE3-MS
SI7123DN-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SI7123DN-T1-GE3-MS高性能场效应管，采用先进 DFN3X3-8L 封装，兼顾空间节省与高效散热；20V 额定电压（VDSS）搭配满负荷下 48A 稳定漏极电流（ID），保障高电流场景可靠运行；7.5mΩ 业界领先导通电阻（RD (on)）大幅提升系统能效、减少冗余功耗。器件专为电源开关、电池管理系统等高电流应用设计，是高效能低损耗解决方案的理想选择。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7123DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908766
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SI7123DN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V ID = -60A
- RDS(ON)< 10 m Ω@VGS=-4.5 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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