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SI7123DN-T1-GE3-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款SI7123DN-T1-GE3-MS高性能场效应管，采用先进 DFN3X3-8L 封装，兼顾空间节省与高效散热；20V 额定电压（VDSS）搭配满负荷下 48A 稳定漏极电流（ID），保障高电流场景可靠运行；7.5mΩ 业界领先导通电阻（RD (on)）大幅提升系统能效、减少冗余功耗。器件专为电源开关、电池管理系统等高电流应用设计，是高效能低损耗解决方案的理想选择。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7123DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908766
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
SI7123DN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V ID = -60A
- RDS(ON)< 10 m Ω@VGS=-4.5 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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