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SI7123DN-T1-GE3-MS

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描述: 此款SI7123DN-T1-GE3-MS高性能场效应管，采用先进 DFN3X3-8L 封装，兼顾空间节省与高效散热；20V 额定电压（VDSS）搭配满负荷下 48A 稳定漏极电流（ID），保障高电流场景可靠运行；7.5mΩ 业界领先导通电阻（RD (on)）大幅提升系统能效、减少冗余功耗。器件专为电源开关、电池管理系统等高电流应用设计，是高效能低损耗解决方案的理想选择。
品牌名称: MSKSEMI(美森科)
商品型号: SI7123DN-T1-GE3-MS
商品编号: C51908766
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.101克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和 DMOS 技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET™ 超级 FRFET MOSFET 具有卓越的衬底二极管反向恢复性能。其 trr 小于 50 纳秒，反向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec，而普通平面 MOSFET 则分别超过 200 纳秒和 4.5V/nsec。因此，在某些需要提高 MOSFET 衬底二极管性能的应用中，UniFET 超级 FRFET MOSFET 可以减少额外组件并提高系统可靠性。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。

商品特性

VDS = -20V ID = -60A
RDS(ON)< 10 m Ω@VGS=-4.5 V

应用领域

电池保护
负载开关
不间断电源

数据手册PDF

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