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AON7400A-MS实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AON7400A-MS

采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET,适用于电池保护和开关应用

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描述
此款AON7400A-MS选用DFN3X3-8L紧凑型封装,兼具高效散热与小巧体积优势,适配空间受限的设计场景。在性能上,器件额定漏源电压(VDSS)达 30V、连续电流承载能力稳定至 60A,且导通电阻(RD (on))仅 6mΩ,可实现低损耗、高效率的电力传输。目前已广泛应用于电源转换、负载开关等高电流处理领域,是提升系统运行性能、优化节能效果的优选半导体元件。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
AON7400A-MS
商品编号
C51908762
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1003克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)37.5W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)9.8nC
属性参数值
输入电容(Ciss)940pF
反向传输电容(Crss)109pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)131pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AON7400A-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 30 V ID = 35 A
  • RDS(ON)< 10 m Ω@VGS= -10 V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF