AON7400A-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET,适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款AON7400A-MS选用DFN3X3-8L紧凑型封装,兼具高效散热与小巧体积优势,适配空间受限的设计场景。在性能上,器件额定漏源电压(VDSS)达 30V、连续电流承载能力稳定至 60A,且导通电阻(RD (on))仅 6mΩ,可实现低损耗、高效率的电力传输。目前已广泛应用于电源转换、负载开关等高电流处理领域,是提升系统运行性能、优化节能效果的优选半导体元件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON7400A-MS
- 商品编号
- C51908762
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1003克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AON7400A-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V ID = 35 A
- RDS(ON)< 10 m Ω@VGS= -10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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