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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MSiSH101DN

采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET,适用于电池保护和其他开关应用

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描述
此款MSiSH101DN场效应管,它具备70A的连续漏极电流(ID)和30V的漏源击穿电压(VDSS),适用于中高功率电源管理系统。导通电阻低至6.5mΩ(RDON),可有效降低导通损耗,提高系统效率。栅源电压(VGS)最大支持20V,确保稳定控制性能。该器件广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理及各类高效能电子设备中,提供可靠且高效的功率控制解决方案。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
MSiSH101DN
商品编号
C51908759
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1074克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)31.2W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)45nC
属性参数值
输入电容(Ciss)4.32nF
反向传输电容(Crss)487pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)529pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

SiSH101DN采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -30V ID = -70A
  • RDS(ON)< 9.3 m Ω@VGS=-10 V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF