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MSiSH101DN

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描述: 此款MSiSH101DN场效应管，它具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率电源管理系统。导通电阻低至6.5mΩ（RDON），可有效降低导通损耗，提高系统效率。栅源电压（VGS）最大支持20V，确保稳定控制性能。该器件广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理及各类高效能电子设备中，提供可靠且高效的功率控制解决方案。
品牌名称: MSKSEMI(美森科)
商品型号: MSiSH101DN
商品编号: C51908759
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1074克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体公司基于先进的平面条纹和 DMOS 技术推出的一款高电压 MOSFET 系列产品。这一先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的通态电阻，并且具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 能够承受超过 2 千伏的高浪涌应力。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。

商品特性

VDS = -30V ID = -70A
RDS(ON)< 9.3 m Ω@VGS=-10 V

应用领域

电池保护
负载开关
不间断电源

数据手册PDF

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