MSiSH101DN
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET,适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 此款MSiSH101DN场效应管,它具备70A的连续漏极电流(ID)和30V的漏源击穿电压(VDSS),适用于中高功率电源管理系统。导通电阻低至6.5mΩ(RDON),可有效降低导通损耗,提高系统效率。栅源电压(VGS)最大支持20V,确保稳定控制性能。该器件广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理及各类高效能电子设备中,提供可靠且高效的功率控制解决方案。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSiSH101DN
- 商品编号
- C51908759
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SiSH101DN采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -70A
- RDS(ON)< 9.3 m Ω@VGS=-10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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