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MSISH101DN-T1-GE3
MSISH101DN-T1-GE3
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- 描述
- 此款MSISH101DN-T1-GE3场效应管为P沟道，30V漏源电压（VDSS）搭配 70A 漏极电流（ID），可灵活适配多种中高功率电源管理场景；6.5mΩ 低导通电阻（RDON）有效减少导通损耗、提升整体能效，20V 最高栅源电压（VGS）保障复杂环境下稳定工作。器件具备高性能功率控制能力，广泛适用于电源转换器、电池保护电路、负载开关及各类高效节能电子系统。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSISH101DN-T1-GE3
- 商品编号
- C51908760
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1079克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- VDS = -30V ID = -70A
- RDS(ON)< 9.3 m Ω@VGS=-10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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