温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MSISH101DN-T1-GE3
MSISH101DN-T1-GE3
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款MSISH101DN-T1-GE3场效应管为P沟道，30V漏源电压（VDSS）搭配 70A 漏极电流（ID），可灵活适配多种中高功率电源管理场景；6.5mΩ 低导通电阻（RDON）有效减少导通损耗、提升整体能效，20V 最高栅源电压（VGS）保障复杂环境下稳定工作。器件具备高性能功率控制能力，广泛适用于电源转换器、电池保护电路、负载开关及各类高效节能电子系统。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSISH101DN-T1-GE3
- 商品编号
- C51908760
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1079克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
MSISH101DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -70A
- RDS(ON)< 9.3 m Ω@VGS=-10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- DMP3036SFV-MS
- AON7400A-MS
- SI7414DN-T1-E3-MS
- SI7415DN-T1-GE3-MS
- SIS402DN-T1-GE3-MS
- SI7123DN-T1-GE3-MS
- SI7615CDN-T1-GE3-MS
- DMP3008SFG-MS
- SI7121ADN-T1-GE3-MS
- AON7403-MS
- SI7423DN-T1-E3-MS
- DMP3036SFG-MS
- SI7309DN-T1-E3-MS
- DMG7408SFG-MS
- DMN2005UFG-MS
- FDMC8554-MS
- SI7106DN-T1-E3-MS
- SIS410DN-T1-GE3-MS
- AON7408-MS
- SIS414DN-T1-GE3-MS
- AON3414-MS