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DMP3036SFV-MS实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP3036SFV-MS

采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET,适用于电池保护和其他开关应用

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描述
此款DMP3036SFV-MS场效应管,它的ID电流为25A,可适应一定程度的电流负载。电压达30V,适用于多种常见电压环境。内阻典型值16mR。VGS为20V。可应用于各类电子产品中,在电源控制和信号处理等方面发挥特定作用.
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
DMP3036SFV-MS
商品编号
C51908761
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1004克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V
耗散功率(Pd)29W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)52nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.15nF
反向传输电容(Crss)134pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)150pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

DMP3036SFV - MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -30 V \midD = -25 A
  • RDS(ON)< 20 m Ω@VGS=-10 V

应用领域

-电池保护-负载开关-不间断电源

数据手册PDF