DMP3036SFV-MS
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET,适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 此款DMP3036SFV-MS场效应管,它的ID电流为25A,可适应一定程度的电流负载。电压达30V,适用于多种常见电压环境。内阻典型值16mR。VGS为20V。可应用于各类电子产品中,在电源控制和信号处理等方面发挥特定作用.
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- DMP3036SFV-MS
- 商品编号
- C51908761
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1004克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
DMP3036SFV - MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V \midD = -25 A
- RDS(ON)< 20 m Ω@VGS=-10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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