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SI7617DN-T1-GE3-MS
SI7617DN-T1-GE3-MS
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- 描述
- 此款SI7617DN-T1-GE3-MS场效应管，它的主要参数包括：漏极电流ID为32A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至10mΩ。该器件具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗，适用于多种功率开关和控制场景。其P沟道结构适合用于电源侧开关或负载切换应用，可有效提升系统效率与稳定性。典型应用场景包括便携式电源设备、消费类电子产品中的DC-DC转换模块、电池充放电管理电路以及各类中功率开关控制单元。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7617DN-T1-GE3-MS
- 商品编号
- C51908756
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1016克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和 DMOS 技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -50A
- RDS(ON) < 13 m Ω @ VGS = -10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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