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SI7617DN-T1-GE3-MS

采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用

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描述: 此款SI7617DN-T1-GE3-MS场效应管，它的主要参数包括：漏极电流ID为32A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至10mΩ。该器件具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗，适用于多种功率开关和控制场景。其P沟道结构适合用于电源侧开关或负载切换应用，可有效提升系统效率与稳定性。典型应用场景包括便携式电源设备、消费类电子产品中的DC-DC转换模块、电池充放电管理电路以及各类中功率开关控制单元。
品牌名称: MSKSEMI(美森科)
商品型号: SI7617DN-T1-GE3-MS
商品编号: C51908756
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1016克(g)

商品参数

SI7617DN-T1-GE3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

-电池保护-负载开关-不间断电源