SI7617DN-T1-GE3-MS

SI7617DN-T1-GE3-MS

描述

此款SI7617DN-T1-GE3-MS场效应管，它的主要参数包括：漏极电流ID为32A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至10mΩ。该器件具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗，适用于多种功率开关和控制场景。其P沟道结构适合用于电源侧开关或负载切换应用，可有效提升系统效率与稳定性。典型应用场景包括便携式电源设备、消费类电子产品中的DC-DC转换模块、电池充放电管理电路以及各类中功率开关控制单元。

品牌名称

MSKSEMI(美森科)

商品型号

SI7617DN-T1-GE3-MS

商品编号

C51908756

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.1016克(g)