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AON7406-MS
AON7406-MS
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- 描述
- 此款AON7406-MS场效应管，它具有以下主要参数：最大漏极电流ID为20A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至15mΩ，适合高效率功率转换应用。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和快速开关特性，适用于电源管理、电池充放电控制、DC-DC转换器以及各类中高功率电子设备。其低导通电阻有效降低了导通损耗，提升了系统整体效率，同时支持高频工作，满足对空间和能效有要求的高性能电路设计需求。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON7406-MS
- 商品编号
- C51908757
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1005克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
D11N20 是一款高电压功率 MOSFET，它采用了先进的沟槽型 MOSFET 技术，旨在具备更出色的特性，例如快速的开关时间、低栅极电荷、低通态电阻以及出色的抗雪崩特性。这种功率 MOSFET 通常用于开关电源的高速开关应用中。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 20 A
- RDS(ON)< 20 m Ω(VGS=10 V时)
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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