温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

AON7406-MS

采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 此款AON7406-MS场效应管，它具有以下主要参数：最大漏极电流ID为20A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至15mΩ，适合高效率功率转换应用。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和快速开关特性，适用于电源管理、电池充放电控制、DC-DC转换器以及各类中高功率电子设备。其低导通电阻有效降低了导通损耗，提升了系统整体效率，同时支持高频工作，满足对空间和能效有要求的高性能电路设计需求。
品牌名称: MSKSEMI(美森科)
商品型号: AON7406-MS
商品编号: C51908757
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1005克(g)

商品参数

AON7406-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

-电池保护-负载开关-不间断电源