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MSiRA18BDP
MSiRA18BDP
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- 描述
- 这款MSiRA18BDPN沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压，其导通电阻仅为6mΩ，有效降低了电力传输过程中的能量损耗。支持高达±20V的栅源电压，保证了广泛的工作条件适应性。适用于各种电源转换、信号放大以及电子开关应用，如笔记本电脑充电器、家用电器控制器等，能够提供高效的电能管理和稳定的性能表现。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSiRA18BDP
- 商品编号
- C51908758
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
参数完善中
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