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DMP3021SFVW-7-MS实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP3021SFVW-7-MS

采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET,适用于电池保护和开关应用

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描述
此款DMP3021SFVW-7-MS场效应管,它具有30V漏源电压(VDSS)和32A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDON)低至10毫欧,可有效减少功率损耗并提升整体效率。采用P沟道结构,适用于各类中高功率电源管理应用,如直流转换器、电源开关控制、电池管理系统及负载驱动电路。该器件具备良好的热稳定性和快速响应特性,适合用于对空间、效率与可靠性有较高要求的电子系统设计。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
DMP3021SFVW-7-MS
商品编号
C51908755
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1015克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)37W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)22nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.215nF
反向传输电容(Crss)237pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)310pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

DMP3021SFVW-7-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -30V ID = -50A
  • RDS(ON) < 13 m Ω @ VGS = -10 V

应用领域

-电池保护-负载开关-不间断电源

数据手册PDF