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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP2010UFV-13-MS

采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET,适用于电池保护和开关应用

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描述
此款DMP2010UFV-13-MS场效应管,它具有20V漏源耐压(VDSS)、60A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDON)低至7mΩ,支持高效率功率开关应用。适用于电源转换、同步整流、负载开关及电池管理电路,在高频工作条件下仍能保持良好稳定性。器件采用通用封装形式,便于PCB集成与散热设计,满足多种高性能电子系统的应用需求。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
DMP2010UFV-13-MS
商品编号
C51908752
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1011克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)22W
阈值电压(Vgs(th))700mV
栅极电荷量(Qg)35nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.8nF
反向传输电容(Crss)590pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)690pF
栅极电压(Vgs)±12V

商品概述

DMP2010UFV-13-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -20V ID = -60A
  • RDS(ON)< 10 m Ω@VGS=-4.5 V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF