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DMP3011SFVW-7-MS

采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用

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描述: 此款DMP3011SFVW-7-MS场效应管，它具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和55A的最大连续漏极电流（ID），适用于高电流场景下的稳定工作。导通电阻（RDON）低至8毫欧，可有效降低导通损耗，提高系统效率。采用P沟道结构设计，适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及各类便携式电子产品中的高效电路控制。其优异的电气性能和广泛的工作范围，使其在复杂环境中仍能保持可靠运行。
品牌名称: MSKSEMI(美森科)
商品型号: DMP3011SFVW-7-MS
商品编号: C51908751
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1018克(g)

商品参数

DMP3011SFVW-7-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

-电池保护-负载开关-不间断电源