AON7246E-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET,适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 此款AON7246E-MS场效应管,60V/±20V电压+40A电流稳承高负载,12mΩ低阻优导通、降损耗;适同步整流/DC-DC变换/电机驱动,热稳性强适配紧凑型设计,广泛用于通信/便携电子/ 高密度电源的主开关与功率控制。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON7246E-MS
- 商品编号
- C51908750
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AON7246E-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 40 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 15 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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