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AON7246E-MS实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AON7246E-MS

采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET,适用于电池保护和其他开关应用

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描述
此款AON7246E-MS场效应管,60V/±20V电压+40A电流稳承高负载,12mΩ低阻优导通、降损耗;适同步整流/DC-DC变换/电机驱动,热稳性强适配紧凑型设计,广泛用于通信/便携电子/ 高密度电源的主开关与功率控制。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
AON7246E-MS
商品编号
C51908750
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1018克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)22nC
属性参数值
输入电容(Ciss)930pF
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)230pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AON7246E-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 60 V,ID = 40 A
  • 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 15 mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF