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4953-HXY
停产
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- 描述
- 该款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，提供5.3A电流处理能力。双P沟道设计特别适应于正向电源控制场景，适用于电池保护、电源切换等应用，具备低导通电阻和优越的开关性能，是消费电子产品理想的高效能功率器件选择。
- 商品型号
- 4953-HXY
- 商品编号
- C4748743
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V,4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@15V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 540pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3407-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -4.1A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 55mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET