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AOD609-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- 本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，额定电压40V，具备稳定高效的20A电流处理能力。专为中低压双极性电源转换应用设计，广泛应用于各类消费电子产品，确保卓越的能效与系统稳定性表现。
- 商品型号
- AOD609-HXY
- 商品编号
- C4748763
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V；24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.225nF@20V；1.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@20V；135pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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