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SI2300-HXY
1个N沟道 耐压:20V
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- 描述
- 本产品是一款N型场效应管，具有6A的电流承载能力，最高20V的工作电压。其内阻典型值为18mΩ，VGS为12V。适用于多种电子设备中，如电源管理、信号放大等关键电路，确保系统稳定运行。低内阻保证了高效的电流控制能力。
- 商品型号
- SI2300-HXY
- 商品编号
- C4748802
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOD4144-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 60A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 9mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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