1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
- 20+: ¥0.140996 / 个
- 200+: ¥0.112421 / 个
- 600+: ¥0.099721 / 个
- 3000+: ¥0.076202 / 个 (折合1圆盘228.61元)
- 9000+: ¥0.072392 / 个 (折合1圆盘217.18元)
- 21000+: ¥0.069852 / 个 (折合1圆盘209.56元)
20+: |
¥0.140996 / 个 |
200+: |
¥0.112421 / 个 |
600+: |
¥0.099721 / 个 |
3000+: |
¥0.076202 / 个 (折合1圆盘228.61元) |
9000+: |
¥0.072392 / 个 (折合1圆盘217.18元) |
21000+: |
¥0.069852 / 个 (折合1圆盘209.56元) |
单击复制
单击复制
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
功率(Pd) | 1.4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@10V,5.8A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 825pF@15V |