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AO3400-HXY实物图
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AO3400-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

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描述
该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装,额定电压30V,可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
AO3400-HXY
商品编号
C4748804
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))900mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)825pF
反向传输电容(Crss)78pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

数据手册PDF