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AON3419-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，具有紧凑且高效的特点。额定电压30V，连续电流高达32A，适用于空间受限的电源转换、负载开关控制及电池管理系统应用场合，提供卓越的低导通电阻和高功率密度解决方案。
- 商品型号
- AON3419-HXY
- 商品编号
- C4748765
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON3419采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -32A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 12mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器