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AON3419-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，具有紧凑且高效的特点。额定电压30V，连续电流高达32A，适用于空间受限的电源转换、负载开关控制及电池管理系统应用场合，提供卓越的低导通电阻和高功率密度解决方案。
- 商品型号
- AON3419-HXY
- 商品编号
- C4748765
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大程度降低开关损耗。它专为高功率密度应用量身定制，符合最高效率标准。
商品特性
- 低导通电阻（RDS(ON)）与品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
应用领域
- 个人电脑电源
- LED照明
- 电信电源
- 服务器电源
- 电动汽车充电器
- 太阳能/不间断电源