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60N02-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压20V，峰值电流高达60A，专为大电流应用如电源转换、电机驱动设计，具备卓越的开关性能与低损耗特点，是高效率消费级电子设备的理想选择。
- 商品型号
- 60N02-HXY
- 商品编号
- C4748758
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOD403-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -70A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源