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AOD403-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，拥有30V额定电压和高达80A的强劲电流处理能力。专为高负载、高效能的低压电子设备设计，实现卓越的开关性能与能耗控制，是优化电源管理系统的理想半导体器件选择。
- 商品型号
- AOD403-HXY
- 商品编号
- C4748761
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,70A | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
AOD2610E - HXY采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 80A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 8mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源