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AOD607-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，额定电压30V，具有高效能的20A电流处理能力。专为双极性电源转换与开关应用设计，适用于各类消费电子产品，提供卓越的系统效率和稳定性表现，是优化电路的理想选择。
- 商品型号
- AOD607-HXY
- 商品编号
- C4748762
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF；416pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI2300-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 20A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 24mΩ
- VDS = -30V,ID = -20A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 40mΩ
应用领域
-无线充电-升压驱动器-无刷电机