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AOD603-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:20A 15A 停产
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- 描述
- 这款场效应管具有20A的电流承载能力和60V的电压耐受性，内阻典型值为26mΩ。其VGS为20V，采用N+P型结构。适用于高效能电子系统，能够确保稳定运行，提升整体性能。适合对电子器件有专业需求的场景使用。
- 商品型号
- AOD603-HXY
- 商品编号
- C4748764
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@4.5V；19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF；1.027nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF；46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = 60V,ID = 20A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 34mΩ
- VDS = -60V,ID = -15A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 86mΩ
应用领域
-无线充电-升压驱动器-无刷电机