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AOD603-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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描述
本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，具有60V高耐压和高效能的20A电流处理能力。专为双极性电源转换应用设计，广泛应用于各类中高压消费电子产品中，实现卓越的能源效率与系统稳定性表现。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AOD603-HXY商品编号
C4748764商品封装
TO-252-4L包装方式
编带
商品毛重
0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,15A；80mΩ@10V,10A | |
| 功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.08nF@15V；1.027nF@15V |
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