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9926A-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

9926A-HXY

2个N沟道 耐压:20V

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描述
本产品是一款场效应管,具有6A的电流承载能力,最高20V的工作电压。其内阻典型值为21mΩ,适用于低电阻应用。VGS为12V,采用N+N型结构,确保稳定的性能和较低的功耗。适合用于多种电子设备中,以实现高效的电流控制和信号处理。
商品型号
9926A-HXY
商品编号
C4748744
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.21克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V,6A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)17.6nC
输入电容(Ciss)910pF
反向传输电容(Crss)85pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

AO4402-HXY采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 20V,ID = 20A
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 5.5mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF