温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4812-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:6A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道技术，额定电压30V，连续电流6A。专为高效电源转换、负载均衡及电池管理系统设计，实现小型化与节能优化，是现代电子设备的理想半导体组件。
- 商品型号
- AO4812-HXY
- 商品编号
- C4748747
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |