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AO4812-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道技术，额定电压30V，连续电流6A。专为高效电源转换、负载均衡及电池管理系统设计，实现小型化与节能优化，是现代电子设备的理想半导体组件。
- 商品型号
- AO4812-HXY
- 商品编号
- C4748747
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOD558-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 80 A
- RDS(ON) < 6.8 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源