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AOD417-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，具备强大40A电流处理能力。专为高效能、低损耗的消费电子开关应用设计，有效提升系统性能与节能效果，是在低压环境下优化电源管理方案的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- AOD417-HXY
- 商品编号
- C4748754
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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