AOD478-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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描述
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备100V高耐压和高达20A连续电流处理能力,适用于电源转换、电机驱动等高性能应用场景,提供卓越的开关性能与稳定可靠的功率管理解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AOD478-HXY商品编号
C4748755商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.51克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 20A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@10V,5A | |
功率(Pd) | 55W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.53nF@25V |
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