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AOD478-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备100V高耐压和高达20A连续电流处理能力，适用于电源转换、电机驱动等高性能应用场景，提供卓越的开关性能与稳定可靠的功率管理解决方案。
- 商品型号
- AOD478-HXY
- 商品编号
- C4748755
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
AOD478采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 20A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 87mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源