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AOD4130-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 此款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高性能N沟道器件，具备60V的额定电压及30A的大电流处理能力。适用于各类电源转换、开关电路等应用，以高效能、低损耗和高稳定性，满足现代电子设备严苛需求。
- 商品型号
- AOD4130-HXY
- 商品编号
- C4748752
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF@48V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@48V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOD442-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源