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AOD4130-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOD4130-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
此款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,是一款高性能N沟道器件,具备60V的额定电压及30A的大电流处理能力。适用于各类电源转换、开关电路等应用,以高效能、低损耗和高稳定性,满足现代电子设备严苛需求。
商品型号
AOD4130-HXY
商品编号
C4748752
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.48克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))26mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)34.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)12.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.378nF@48V
反向传输电容(Crss)64pF@48V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
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