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AOD558-HXY

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:80A

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  • 描述

    这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压30V,最大连续电流高达80A,专为高功率电子设备设计,如电源转换器和电机驱动系统,提供出色的开关性能及低损耗表现。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    AOD558-HXY
  • 商品编号

    C4748757
  • 商品封装

    TO-252-2L
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.48克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.8mΩ@10V,20A
属性参数值
功率(Pd)54W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11.1nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)1.16nF@25V
工作温度-55℃~+150℃

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