AOD558-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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描述
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压30V,最大连续电流高达80A,专为高功率电子设备设计,如电源转换器和电机驱动系统,提供出色的开关性能及低损耗表现。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AOD558-HXY商品编号
C4748757商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.48克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 80A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.8mΩ@10V,20A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 54W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.1nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.16nF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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