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AOD442-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有60V工作电压和高达50A的大电流处理能力。专为优化现代消费电子产品开关性能设计，具备高效能、低损耗特点，显著提升系统效能与稳定性，是电源管理方案的理想核心组件。
- 商品型号
- AOD442-HXY
- 商品编号
- C4748751
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4606-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 6A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 22mΩ
- VDS = -30V，ID = -5.5A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机