AOD480-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压30V,峰值电流20A,适用于高效电源转换、电机驱动等应用,提供低导通电阻、快速开关性能及卓越的功率管理解决方案。
- 商品型号
- AOD480-HXY
- 商品编号
- C4748749
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个2500个/圆盘
总价金额:
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